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SUM110N03-04P 参数 Datasheet PDF下载

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型号: SUM110N03-04P
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内容描述: N通道30 -V ( D- S) 175℃ MOSFET [N-Channel 30-V (D-S) 175∑C MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管开关脉冲
文件页数/大小: 3 页 / 176 K
品牌: VAISH [ VAISHALI SEMICONDUCTOR ]
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SPICE器件模型SUM110N03-04P
Vishay Siliconix公司
N通道30 -V ( D- S) 175℃ MOSFET
特征
N沟道垂直DMOS
宏模型(子电路模型)
3级MOS
同时申请线性和开关应用
在精确的
−55
至125°C温度范围
模型的栅极电荷,瞬态,二极管反向恢复
特征
描述
所附的SPICE模型描述了典型的电
的n沟道垂直DMOS特性。子电路
模型中提取并优化过
−55
至125℃
脉冲0〜 10V栅极驱动下的温度范围。该
饱和输出阻抗是在靠近栅极偏压最佳拟合
阈值电压。
一种新颖的栅极 - 漏极电容的反馈网络,用于
模型,同时避免收敛的栅极电荷特性
交换的C困难
gd
模型。所有的模型参数值
进行了优化,以提供最适合于所测量的电数据
并且不旨在作为对一个确切的物理解释
装置。
子电路模型示意图
本文档的目的是作为一个SPICE建模准则,不构成商业产品数据表。设计师应该参考相应的
相同数量的保证规范限制的数据表。
文档编号: 72423
09-Jun-04
www.vishay.com
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