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    SI4567DY 参数 Datasheet PDF下载

    SI4567DY图片预览
    型号： SI4567DY
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 双N和P通道40 - V（D -S）的MOSFET [Dual N- and P-Channel 40-V (D-S) MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 4 页 / 363 K
    品牌： VAISH [ VAISHALI SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号SI4567DY的Datasheet PDF文件第1页浏览型号SI4567DY的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SI4567DY的Datasheet PDF文件第4页  
    SPICE器件模型Si4567DY
    Vishay Siliconix公司
    规格（T
    J
    = 25 ° C除非另有说明）
    参数
    STATIC
    栅极阈值电压
    V
    GS （ TH）
    V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    = 250
    µA
    V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    =
    −250 µA
    V
    DS
    = 5 V, V
    GS
    = 10 V
    V
    DS
    =
    −5
    V, V
    GS
    =
    −10
    V
    V
    GS
    = 10 V，I
    D
    = 4.1 A
    漏源导通电阻
    a
    r
    DS （ ON）
    V
    GS
    =
    −10
    V，I
    D
    =
    −3.6
    A
    V
    GS
    = 4.5 V，I
    D
    = 3.8 A
    V
    GS
    =
    −4.5
    V，I
    D
    =
    −2.9
    A
    正向跨导
    a
    g
    fs
    V
    DS
    = 15 V，I
    D
    = 4.1 A
    V
    DS
    =
    −15
    V，I
    D
    =
    −3.6
    A
    I
    S
    = 1.5 A，V
    GS
    = 0 V
    I
    S
    =
    −1.6
    A，V
    GS
    = 0 V
    N沟道
    P沟道
    N沟道
    P沟道
    N沟道
    P沟道
    N沟道
    P沟道
    N沟道
    P沟道
    N沟道
    P沟道
    1.4
    1.9
    97
    67
    0.049
    0.056
    0.056
    0.097
    9
    6.3
    0.72
    0.80
    0.048
    0.058
    0.056
    0.097
    15
    7
    0.80
    −0.80
    S
    Ω
    V
    符号
    测试条件
    模拟
    数据
    测
    数据
    单位
    通态漏电流
    a
    I
    D（上）
    A
    二极管的正向电压
    a
    V
    SD
    V
    动态
    b
    输入电容
    C
    国际空间站
    N沟道
    V
    DS
    = 20 V, V
    GS
    = 0 V ， F = 1兆赫
    P沟道
    V
    DS
    =
    −
    20 V, V
    GS
    = 0 V ， F = 1兆赫
    N沟道
    P沟道
    N沟道
    P沟道
    N沟道
    P沟道
    V
    DS
    = 20 V, V
    GS
    = 10 V，I
    D
    = 5 A
    总栅极电荷
    Q
    g
    V
    DS
    =
    −
    20 V, V
    GS
    =
    −10
    V，I
    D
    =
    −
    5 A
    N沟道
    P沟道
    N沟道
    N沟道
    V
    DS
    = 20 V, V
    GS
    = 4.5 V，I
    D
    = 5 A
    P沟道
    V
    DS
    =
    −
    20 V, V
    GS
    =
    −4.5
    V，I
    D
    =
    −
    5 A
    P沟道
    N沟道
    P沟道
    N沟道
    P沟道
    471
    567
    53
    76
    25
    57
    6.5
    10.5
    3.3
    5.7
    1.1
    1.5
    1.4
    2.7
    355
    480
    50
    80
    29
    56
    8
    12
    3.7
    6
    1.1
    1.5
    1.4
    2.7
    nC
    pF
    输出电容
    C
    OSS
    反向传输电容
    C
    RSS
    栅极 - 源电荷
    Q
    gs
    栅极 - 源电荷
    Q
    gs
    笔记
    一。脉冲测试;脉冲宽度
    ≤
    300
    µs,
    占空比
    ≤
    2%.
    B 。通过设计保证，不受生产测试。
    www.vishay.com
    2
    文档编号： 74147
    S- 60243Rev 。 A， 20 -FEB -06

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