MMBT2222A
参数
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
Ic
NPN硅晶体管
绝对最大额定值
（TA = 25℃ ，除非另有说明）。
评级
集电极 - 基极电压
75
集电极 - 发射极电压
40
发射极 - 基极电压
6
集电极电流
0.6
SOT-23
350
功耗
P
C
SOT-523
150
结温
T
J
+150
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
注：这些都是稳定状态的限制。工厂应就涉及申请咨询脉冲或
周期操作。
单位
V
V
V
A
mW
mW
℃
℃
低占空比
热数据
参数
热阻，结到环境
SOT-23
SOT-523
符号
θ
JA
评级
15
833
单位
° C / W
° C / W
电气特性
（TA = 25℃ ，除非另有说明）。
参数
开关特性
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
基地截止电流
收藏家Cuto FF电流
基本特征
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
I
BL
I
首席执行官
测试条件
I
C
= 10μA ，我
E
=0
I
C
= 10毫安，我
B
=0
I
E
= 10μA ，我
C
=0
V
CB
= 60V ，我
E
=0
V
CB
= 60V ，我
E
= 0 ，TA = 150℃
V
EB
= 3.0V ，我
C
=0
V
CE
=60V, V
EB （O FF ）
=3.0V
V
CE
=60V, V
EB （O FF ）
=3.0V
I
C
= 0.1毫安，V
CE
=10V
I
C
= 1.0毫安，V
CE
=10V
I
C
= 10毫安，V
CE
=10V
I
C
= 10毫安，V
CE
= 10V ，TA = -55°C
I
C
= 150毫安，V
CE
=10V*
I
C
= 150毫安，V
CE
=1.0V*
I
C
= 500毫安，V
CE
=10V*
I
C
= 150毫安，我
B
=15mA
I
C
= 500毫安，我
B
=50mA
I
C
= 150毫安，我
B
=15mA
I
C
= 500毫安，我
B
=50mA
I
C
= 20mA时， V
CB
= 20V ， F = 300MHz的
I
C
= 20mA时， V
CE
= 20V ， F = 100MHz的
V
CB
= 10V ，我
E
= 0中，f = 100KHz的
V
EB
= 0.5V ，我
C
= 0中，f = 100KHz的
I
C
= 20mA时， V
CB
= 20V ， F = 31.8MHz
I
C
= 100μA ，V
CE
= 10V ，卢比= 1.0kΩ
f=1.0kHz
300
8.0
25
150
4.0
民
75
40
6
0.01
10
10
20
10
35
50
75
35
100
50
40
典型值
最大
单位
V
V
V
µA
µA
nA
nA
nA
直流电流增益
h
FE
300
集电极 - 发射极饱和电压*
基射极饱和电压*
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
0.6
0.3
1.0
1.2
2.0
60
V
V
V
V
Ω
兆赫
pF
pF
pS
dB
小信号特性
共发射高的实部
回复（ HJE ）
频率输入阻抗
跃迁频率
f
T
输出电容
科博
输入电容
CIBO
集电极基时间常数
rb'Cc
噪声系数
NF
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www.unisonic.com.tw
2 6
QW-R206-019,D
UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
