UTC MJE2955T
PNP外延硅晶体管
典型特征
直流电流增益
饱和电压V
BE
（SAT） ，
V
CE
（ SAT ） （V ）
基射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
-10
V
CE
= -2V
I
C
= 10I
B
V
BE
（SAT）
1000
FE
直流电流增益，H
100
-1
10
-0.1
V
CE
（SAT）
1
-0.01
-0.1
-1
C
-10
(A)
-0.01
-0.1
-1
-10
C
-100
(A)
集电极电流，I
集电极电流，I
安全工作区
动力dissipatioan ，P
C
(W)
功率降额
105
90
75
60
45
30
15
0
0
25
50
75
100
125
150
175
-100
C
集电极电流，I
(A)
-10
100
µs
1m
5
s
DC
ms
-1
-0.1
-1
-10
-100
集电极 - 发射极电压，V
CE
(V)
外壳温度，T
C
(
℃
)
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2
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