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BU508AFI 参数 Datasheet PDF下载

BU508AFI图片预览
型号: BU508AFI
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内容描述: 硅扩散型功率晶体管 [SILICON DIFFUSED POWER TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 81 K
品牌: UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
 浏览型号BU508AFI的Datasheet PDF文件第2页  
UTC BU508 AFI
NPN外延硅晶体管
TO-3PML
1.
2.
BASE
集热器
辐射源
硅功率DIFFUSED
晶体管
描述
在UTC BU508AFI是高电压,高速开关
NPN晶体管中的一个塑料外壳,主要用于在使用中
的彩色电视接收机的水平偏转circuites 。
1
2
3
3.
特点
*电视彩色水平偏转。
*使用TO- 3PML完全隔离的包。
绝对最大额定值TC = 25℃
参数
集电极 - 基极电压(V
BE
=0)
集电极 - 发射极电压(I
B
=0)
发射极 - 基极电压(I
C
=0)
集电极电流峰值
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
ICP
Ic
Pc
Tj
TSTG
价值
1500
700
10
15
8
60
150
-65~150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
°C
电气特性TC = 25℃
参数
集电极 - 基极截断电流
发射基截断电流
集电极 - 发射极电压维持
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基极电流峰值
符号
I
CBO
I
EBO
V
CEO ( SUS )
V
EBO
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
H
FE
测试条件
V
cE
=1500V, V
BE
=0
V
EB
= 5V ,我
C
=0
I
C
= 100mA时我
B
=0
I
E
= 10毫安,我
C
=0
I
C
= 4.5A ,我
B
=2A
I
C
= 4.5A ,我
B
=2A
I
C
= 100mA时V
CE
=5V
最大
2.0
100
单位
mA
uA
V
V
V
V
700
10
1.0
1.3
30
6
世界标准时间
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 LTD。
1
QW-R214-001,A