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BSS138_11 参数 Datasheet PDF下载

BSS138_11图片预览
型号: BSS138_11
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内容描述: N沟道逻辑电平增强模式 [N-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANCEMENT MODE]
分类和应用:
文件页数/大小: 3 页 / 156 K
品牌: UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
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BSS138
参数
漏源电压
栅源电压
初步
符号
V
DSS
V
GSS
功率MOSFET
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C,除非另有规定编)
评级
单位
50
V
±20
V
DC
0.22
连续漏电流
I
D
A
脉冲
0.88
SOT-23-3
0.36
功耗
P
D
W
SOT-323
0.15
结温
T
J
+150
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
注意:绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
热数据
参数
SOT-23-3
结到环境
SOT-323
符号
θ
JA
评级
350
833
单位
/W
电气特性
(T
A
= 25 ℃ ,除非另有规定)
参数
开关特性
漏源击穿电压
击穿电压温度系数
零栅极电压漏极电流
门体泄漏,正向
基本特征
(注)
栅极阈值电压
栅极阈值电压温度
系数
静态漏源导通电阻
符号
测试条件
最小典型最大单位
50
72
0.5
0.1
±100
0.8
1.3
-2
0.7
1.0
0.2
0.12
0.5
27
13
6
1.7
0.1
0.4
2.5
9
20
7
0.8
2.4
3.5
6.0
1.5
V
毫伏/ ℃
µA
nA
V
毫伏/°C的
A
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
A
BV
DSS
V
GS
= 0V时,我
D
=250µA
ΔBV
DSS
/ΔT
J
I
D
= 250μA ,引用至25℃
V
DS
=50V, V
GS
=0V
I
DSS
V
DS
=30V, V
GS
=0V
I
GSS
V
DS
=0V, V
GS
=±20V
V
GS ( TH)
V
DS
=V
GS
, I
D
= 1m的情况
ΔV
GS ( TH)
/ΔT
J
I
D
= 1mA时,引用到25℃
R
DS ( ON)
V
GS
= 10 V,I
D
=0.22A
V
GS
= 4.5 V,I
D
=0.22A
V
GS
=10 V, V
DS
=5V
V
DS
= 10V ,我
D
=0.22A
通态漏电流
I
D(上)
正向跨导
g
FS
动力参数
输入电容
C
国际空间站
V
DS
=25V, V
GS
= 0V , F = 1MHz的
输出电容
C
OSS
反向传输电容
C
RSS
切换参数
(注)
总栅极电荷
Q
G
V
DS
=25V, V
GS
= 10V ,我
D
=0.22A
门源电荷
Q
GS
闸漏极电荷
Q
GD
导通延迟时间
t
D(上)
开启上升时间
t
R
V
DD
= 30V ,我
D
=0.29A,V
GS
=10V,
R
G
=6Ω,
打开-O FF延迟时间
t
D(关闭)
关断下降时间
t
F
源 - 漏二极管额定值和特性
漏源二极管的正向电压
V
SD
V
GS
= 0V时,我
S
= 0.44A (注)
马克斯。二极管的正向电流
I
S
注:脉冲测试,脉冲宽度
300US ,值班cycle≤ 2 %
5
18
36
14
1.4
0.22
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
www.unisonic.com.tw
2 3
QW-R502-271.e