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BD136_11 参数 Datasheet PDF下载

BD136_11图片预览
型号: BD136_11
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内容描述: PNP硅晶体管 [PNP SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 136 K
品牌: UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
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BD136-138-140
绝对最大额定值
参数
符号
PNP外延硅晶体管
评级
单位
BD136
-45
集电极 - 基极电压
BD138
V
CBO
-60
V
BD140
-80
BD136
-45
集电极 - 发射极电压
BD138
V
首席执行官
-60
V
BD140
-80
发射极 - 基极电压
V
EBO
-5
V
集电极电流
I
C
-1.5
V
集电极电流峰值
I
CM
-3
A
基极电流
I
B
-0.5
A
TO-126
12.5
功率耗散T
C
≦25℃
P
D
W
TO-251
15
结温
T
J
150
储存温度
T
英镑
-40 ~ +150
注1:绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
2.该设备是保证满足在0 ℃〜70性能规格
工作温度范围
并保证所设计,从-20 ℃〜85℃ 。
热数据
参数
结到环境
结到外壳
TO-126
TO-251
TO-126
TO-251
符号
θ
JA
θ
JC
评级
100
83
10
8.3
单位
℃/W
℃/W
电气特性
(T
C
= 25 ℃ ,除非另有规定)
参数
集电极 - 发射极
维持电压
集电极截止电流
BD136
BD138
BD140
符号
V
CEO ( SUS )
I
CBO
测试条件
I
C
= -30mA ,我
B
= 0 (注)
-45
-60
-80
典型最大单位
V
-0.1
-10
-10
25
25
40
μA
μA
V
CB
= -30 V,I
E
=0
V
CB
= -30 V,I
E
=0, T
C
= 125°C
发射器的截止电流
I
EBO
V
EB
= -5 V,I
C
=0
h
FE1
V
CE
= -2V ,我
C
=-5mA,
直流电流增益
h
FE2
V
CE
= -2V ,我
C
=-0.5A
h
FE3
V
CE
= -2V ,我
C
=-150mA
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE ( SAT )
I
C
= -0.5A ,我
B
= -0.05A (注)
基射极电压
V
BE
I
C
= -0.5A ,V
CE
= -2 V (注)
注:脉冲:脉冲持续时间
300μS ,占空比1.5 %
250
-0.5
-1
V
V
分类h及
FE
3
范围
6
40~100
10
63~160
16
100~250
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
www.unisonic.com.tw
2 3
QW-R204-013.Ca