UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
7N60
7.4A ， 600V N沟道
功率MOSFET
描述
在UTC
7N60
是一个高压功率MOSFET和是
设计成具有更好的特性，如快速切换时间，
低栅极电荷，低通态电阻，并具有高耐用
雪崩特性。这种功率MOSFET通常用在
开关电源高速开关应用，并
适配器。
功率MOSFET
特点
* R
DS （ ON）
= 1.0Ω
@V
GS
= 10V （ 7N60 ）
R
DS （ ON）
= 1.2Ω
@V
GS
= 10V （ 7N60 -F / 7N60 -M / 7N60 -R / 7N60 -Q ）
*超低栅极电荷（典型的29 NC）
*低反向传输电容（C
RSS
= 16pF的典型）
*快速开关能力
*雪崩能量测试
*改进dv / dt能力，高耐用性
符号
订购信息
订购数量
无铅
无卤
7N60L-TA3-T
7N60G-TA3-T
7N60L-TF3-T
7N60G-TF3-T
7N60L-TF1-T
7N60G-TF1-T
7N60L-TF2-T
7N60G-TF2-T
7N60L-T2Q-T
7N60G-T2Q-T
7N60L-TQ2-R
7N60G-TQ2-R
7N60L-TQ2-T
7N60G-TQ2-T
注：引脚分配： G：门D：漏极S：源
包
TO-220
TO-220F
TO-220F1
TO-220F2
TO-262
TO-263
TO-263
引脚分配
1
2
3
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
填料
管
管
管
管
管
带盘
管
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1 6
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