UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
7N60A
7A ， 600V N沟道
功率MOSFET
描述
在UTC
7N60A
是一种高电压N沟道增强
型功率场效应晶体管和被设计成具有
最大限度地减少通态电阻，优越的开关
性能，并能承受高能量脉冲雪崩
和减刑模式。这种功率MOSFET非常适合
高效率的开关模式电源。
功率MOSFET
特点
* R
DS （ ON）
= 1.2Ω @V
GS
= 10 V
*超低栅极电荷（典型的28 NC）
*低反向传输电容（C
RSS
=典型12 pF的）
*快速开关能力
*雪崩能量测试
*改进dv / dt能力，高耐用性
符号
2.Drain
1.Gate
3.Source
订购信息
订购数量
无铅
无卤
7N60AL-TA3-T
7N60AG-TA3-T
7N60AL-TF1-T
7N60AG-TF1-T
7N60AL-TF3-T
7N60AG-TF3-T
注：引脚分配： G：门D：漏极S：源
7N60AL-TA3-T
（ 1 ）包装类型
（ 2 ）封装类型
（ 3 ）无铅
（ 1 ） T：管
（ 2 ） TA3 ： TO- 220 ， TF1 ： TO220 -F1 ， TF3 ： TO- 220F
（ 3 ）G ：无卤，L ：无铅
包
TO-220
TO-220F1
TO-220F
引脚分配
1
2
3
G
D
S
G
D
S
G
D
S
填料
管
管
管
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1 7
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