7N60A_11 参数 Datasheet PDF下载

型号：	7N60A_11
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内容描述：	7A ， 600V N沟道功率MOSFET [7A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	7 页 / 245 K
品牌：	UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]

7N60A

典型特征

功率MOSFET

漏电流，我

(A)

漏电流，我

(A)

导通电阻与漏极电流

注意：

1. T

=25°C

2.0 2.脉冲测试

1.5

=20V

1.0

0.8

漏电流，我

(A)

电容与漏源电压

10000

栅源电压，V

(V)

国际空间站

2.5

反向漏电流 -

源漏极电压

=10V

反向漏电流，I

(A)

导通电阻，R

DS （ ON）

(Ω)

注意：

1. V

=10V

2.脉冲测试

-1

0.4

0.6

0.8

1.0

8 1.2

1.4

源漏极电压，V

(V)

栅源电压与总栅极电荷

注意：

1. I

= 7A

2. T

= 25

°C

电容（pF）

1000

= 80V

= 200V

= 300V

100

OSS

10注意：

1. V

: 0V

2， F = 1MHz的

3. T

= 25°C

0.1

RSS

100

总栅极电荷，Q

（ NC ）

漏源电压，V

(A)

UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。， LTD。

www.unisonic.com.tw

6 7

VQW-R502-111,F

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