70N06
典型特征
在-State特点
V
GS
上图： 15V
10 V
8 V
7 V
2
10
6 V
5 .5V
5V
Bottorm ： 4.5V
MOSFET
传输特性
漏电流，我
D
(A)
漏电流，我
D
(A)
10
2
10
1
25
°
С
10
1
4 .5V
1 50
°
С
注意：
1 . V
DS
=25 V
2. 20脉冲测试
µs
10
0
2
3
5
7
9 10
4
6
8
栅 - 源电压，V
GS
(V)
10
0 -1
10
10
10
漏源电压，V
DS
(V)
0
1
漏源导通电阻，R
DS （ ON）
(mΩ)
15
导通电阻变化VS漏
.
电流和栅极电压
反向漏电流，I
SD
(A)
10
2
反向漏电流与允许
.
外壳温度
14
13
V
GS
=10V
150℃
10
1
25℃
*注意：
1. V
GS
=0V
2. 250μs的测试
1.6
12
11
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
漏电流，我
D
(A)
10
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
源极 - 漏极电压V
SD
(V)
,
6000
电容（pF）
5000
4000
3000
2000
1000
栅极 - 源极电压，V
GS
(V)
电容特性
（不重复）
C
ISS =
C
GS
+C
GD
(C
DS
=短路）
C
OSS
=C
DS
+C
GD
C
RSS
=C
GD
C
国际空间站
栅极电荷特性
12
10
8
6
4
2
0
0
*注：我
D
=48A
5 10 15 20 25 30 35 40 45
总栅极电荷，Q
G
（ NC ）
V
DS
=38V
V
DS
=60V
C
OSS
0
C
RSS
*注意：
1. V
GS
=0V
2， F = 1MHz的
5
10 15 20 25 30 35
漏极 - 源极电压V
DC
(V)
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6 8
QW-R502-089,A
UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
