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70N06T-TA3-L 参数 Datasheet PDF下载

70N06T-TA3-L图片预览
型号: 70N06T-TA3-L
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内容描述: 70安培, 60伏特N沟道功率MOSFET [70 Amps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 159 K
品牌: UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
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70N06
典型特征
击穿电压变化VS结
.
温度
1.2
1.1
导通电阻变化VS
.
结温
MOSFET
漏源导通电阻,R
DS ( ON)
,
(归一化)
漏源击穿电压,
BV
DSS
(归一化)
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
1.0
*注意:
1. V
GS
=0V
2. I
D
=250µA
-50
0
50
100
150 200
0.9
*注意:
1. V
GS
=10V
2. I
D
=35A
-50
0
50
100
150
结温,T
J
(℃)
0.8
-100
结温,T
J
(℃)
最高安全工作
100运行在此
由R区
DS ( ON)
70
60
最大漏极电流与案例
温度
漏电流,我
D,
(A)
漏电流,我
D
(A)
10
100µs
10ms
DC
1ms
50
40
30
20
10
0
25
50
100
125
75
外壳温度,T
C
(℃)
150
1
0.1
1
*注意:
1. T
c
=25℃
2. T
J
=150℃
3.单脉冲
10
100
1000
漏极 - 源极电压V
D
(V)
瞬态热响应曲线
热响应,Z
θJC
(t)
1
D=0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
*注意:
1. Z
θJ
C
( T) = 0.88 ℃ / W最大。
2.占空比, D = T1 / T2
3. T
J
-T
C
=P
DM
×Z
θJ
C
(t)
0.01
10
1
1E-5 1E-4 1E-3 0.01
0.1
方波脉冲持续时间T
1
(秒)
,
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
www.unisonic.com.tw
第7 8
QW-R502-089,A