UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
50N06
50安培, 60伏
N沟道功率MOSFET
1
TO-252
功率MOSFET
描述
在UTC
50N06
是三端的硅器件的电流
约50A的传导能力,开关速度快。低
通态电阻,60V的击穿电压额定值,并且最大
的4伏的阈值电压。
它主要是合适的电子镇流器,以及低功率开关
模式功率电器。
1
TO-251
特点
* R
DS ( ON)
= 23mΩ @ V
GS
= 10 V
*超低栅极电荷(典型的30 NC)
*低反向传输电容(C
RSS
=典型80 pF的)
*快速开关能力
*指定的100 %雪崩能量
*改进dv / dt能力
1
TO-220
1
TO-220F
符号
2.Drain
1.Gate
3.Source
订购信息
订购数量
无铅
无卤
50N06L-TA3-T
50N06G-TA3-T
50N06L-TF3-T
50N06G-TF3-T
50N60L-TM3-T
50N60G-TM3-T
50N06L-TN3-R
50N06G-TN3-R
注:引脚分配: G:门D:漏极S:源
50N06L-TA3-T
( 1 )包装类型
( 2 )封装类型
( 3 )铅电镀
包
TO-220
TO-220F
TO-251
TO-252
引脚分配
1
2
3
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
填料
管
管
管
带盘
( 1 )R :带卷轴,T :管
( 2 ) TA3 : TO- 220 , TF3 : TO- 220F , TN3 : TO- 252 ,
TM3 : TO- 251
( 3 )G :无卤,L :无铅
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1第8
QW-R502-088.E