50N06
绝对最大额定值
参数
符号
V
DSS
V
GSS
MOSFET
评级
单位
漏源电压
60
V
栅极至源极电压
±20
V
T
C
= 25℃
50
A
连续漏电流
I
D
T
C
= 100℃
35
A
漏电流脉冲（注1 ）
I
DM
200
A
单脉冲雪崩能量（注2 ）
E
AS
480
mJ
重复性雪崩能量（注1 ）
E
AR
13
mJ
峰值二极管恢复的dv / dt （注3 ）
dv / dt的
7
V / ns的
总功率耗散（T
C
= 25℃)
130
W
P
D
0.9
W/℃
减额在25℃以上因素
工作结温
T
J
-55 ~ +150
℃
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
℃
注意：绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
热数据
参数
热阻，结到外壳
热电阻，外壳到散热器
热阻，结到环境
符号
θ
JC
θ
CS
θ
JA
民
典型值
0.5
62.5
最大
1.15
单位
° C / W
° C / W
° C / W
电气特性
T
C
= 25° ，除非另有说明
参数
开关特性
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
门源漏反向
基本特征
栅极阈值电压
静态漏源导通状态
阻力
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
动态特性
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极电荷（米勒电荷）
符号
BV
DSS
测试条件
民
60
0.07
1
100
-100
2.0
18
900
430
80
40
100
90
80
30
9.6
10
4.0
23
1220
550
100
60
200
180
160
40
典型值
最大
单位
V
V/℃
µA
µA
nA
nA
V
mΩ
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 µA
I = 250 μA ，
△
BV
DSS
/△T
J·D
参考25 ℃
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V
I
DSS
V
DS
= 48 V ，T
C
= 125℃
V
GS
= 20V, V
DS
= 0 V
I
GSS
V
GS
= -20V, V
DS
= 0 V
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
R
t
D（关闭）
t
F
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 µA
V
GS
= 10 V，I
D
= 25 A
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V
F = 1MHz的
V
DD
= 30V ，我
D
=25 A,
R
G
= 50Ω （注4,5）
V
DS
= 48V, V
GS
= 10 V
I
D
= 50A， （注4,5）
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2第8
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