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    50N06-TA3-T 参数 Datasheet PDF下载

    50N06-TA3-T图片预览
    型号： 50N06-TA3-T
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 50安培， 60伏特N沟道功率MOSFET [50 Amps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 8 页 / 146 K
    品牌： UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
     浏览型号50N06-TA3-T的Datasheet PDF文件第1页浏览型号50N06-TA3-T的Datasheet PDF文件第2页浏览型号50N06-TA3-T的Datasheet PDF文件第3页浏览型号50N06-TA3-T的Datasheet PDF文件第4页浏览型号50N06-TA3-T的Datasheet PDF文件第5页浏览型号50N06-TA3-T的Datasheet PDF文件第6页浏览型号50N06-TA3-T的Datasheet PDF文件第8页  
    50N06
    典型特征（续）
    击穿电压变化VS结
    .
    温度
    1.2
    1.1
    导通电阻变化VS
    .
    结温
    MOSFET
    漏源导通电阻，R
    DS （ ON）
    ,
    （归一化）
    漏源击穿电压，
    BV
    DSS
    （归一化）
    3.0
    2.5
    2.0
    1.5
    1.0
    0.5
    0.0
    1.0
    *注意：
    1. V
    GS
    =0V
    2. I
    D
    =250µA
    0
    50
    100
    150 200
    0.9
    *注意：
    1. V
    GS
    =10V
    2. I
    D
    =25A
    -50
    0
    50
    100
    150
    结温，T
    J
    (℃)
    0.8
    -100 -50
    结温，T
    J
    (℃)
    最高安全工作
    在这10操作
    由R区
    DS （ ON）
    漏电流，我
    D,
    (A)
    3
    最大漏极电流与外壳温度
    50
    漏电流，我
    D
    (A)
    10
    2
    100µs
    1ms
    10ms
    10ms
    40
    30
    20
    10
    0
    10
    1
    *注意：
    0
    10 1. T =25℃
    c
    2. T
    J
    =150℃
    -1
    3.单脉冲
    10
    1
    0
    1
    2
    10
    10
    10
    10
    漏极 - 源极电压V
    DS
    (V)
    25
    50
    75
    100
    125
    150
    外壳温度，T
    C
    (℃)
    瞬态热
    响应曲线
    热响应，Z
    θJC
    (t)
    10
    0
    D=0.5
    0.2
    0.1
    0.05
    -1
    10
    0.02
    0.01
    单脉冲
    *注意：
    1. Z
    θJ
    C
    （ T） = 1.42 ℃ / W最大。
    2.占空比， D = T1 / T2
    3. T
    J
    -T
    C
    =P
    DM
    ×Z
    θJ
    C
    (t)
    10
    -5
    0
    10
    1
    10
    10
    -4
    10
    -3
    10
    -2
    10
    -1
    10
    方波脉冲持续时间T
    1
    （秒）
    ,
    -2
    UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
    www.unisonic.com.tw
    第7 8
    QW-R502-088,A

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