50N06G-TF3T-T 参数 Datasheet PDF下载

型号：	50N06G-TF3T-T
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内容描述：	[Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220F3, 3 PIN]
分类和应用：
文件页数/大小：	8 页 / 326 K
品牌：	UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]

50N06

典型特征（续）

击穿电压的变化对比

结温

功率MOSFET

漏源导通电阻，R

DS （ ON）

（归一化）

漏源击穿电压，

DSS

（归一化）

1.2

1.1

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0.0

导通电阻变化对比

结温

1.0

0.9

0.8

150 200

-100 -50

50 100

结温，T

(°C)

*注意：

1. V

=0V

2. I

=250µA

*注意：

1. V

=10V

2. I

=25A

-50

100

150

结温，T

(°C)

最高安全工作

操作在此

由R区

DS （ ON）

漏电流，我

(A)

*注意：

1. T

=25°C

2. T

=150°C

-1

3.单脉冲

-1

漏电流，我

(A)

100µs

1ms

10ms

最大漏极电流比。

外壳温度

漏极 - 源极电压V

(V)

100

125

外壳温度，T

(°C)

150

热响应，Z

θJC

(t)

UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。， LTD。

www.unisonic.com.tw

第7 8

QW-R502-088.E

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