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型号: 4N60
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内容描述: 4A , 600V N沟道功率MOSFET [4A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 371 K
品牌: UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
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UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
4N60
4A , 600V N沟道
功率MOSFET
描述
在UTC
4N60
是一个高压功率MOSFET和是
设计成具有更好的特性,如快速开关
时,低栅电荷,低通态电阻,并具有高
坚固耐用的雪崩特性。这种功率MOSFET通常是
在电源高速开关应用中使用,脉宽调制
电机控制装置,高效率的直流 - 直流转换器和桥
电路。
功率MOSFET
1
1
TO-220
TO-220F
1
1
TO-220F1
TO-220F2
特点
* R
DS ( ON)
= 2.5Ω @V
GS
= 10 V
*超低栅极电荷(典型的15 NC)
*低反向传输电容(C
RSS
=典型8.0 pF的)
*快速开关能力
*较高的雪崩能量
*改进dv / dt能力,高耐用性
1
1
TO-251
TO-252
符号
1
1
TO-263
TO-262
订购信息
订购数量
无铅
无卤
4N60L-TA3-T
4N60G-TA3-T
4N60L-TF1-T
4N60G-TF1-T
4N60L-TF2-T
4N60G-TF2-T
4N60L-TF3-T
4N60G-TF3-T
4N60L-TM3-T
4N60G-TM3-T
4N60L-TN3-R
4N60G-TN3-R
4N60L-TN3-T
4N60G-TN3-T
4N60L-T2Q-T
4N60G-T2Q-T
4N60L-TQ3-R
4N60G-TQ3-R
4N60L-TQ3-T
4N60G-TQ3-T
注:引脚分配: G:门D:漏极S:源
TO-220
TO-220F1
TO-220F2
TO-220F
TO-251
TO-252
TO-252
TO-262
TO-263
TO-263
引脚分配
1
2
3
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
填料
带盘
带盘
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1第8
QW-R502-061,Q