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4N60G-X-TA3-T 参数 Datasheet PDF下载

4N60G-X-TA3-T图片预览
型号: 4N60G-X-TA3-T
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内容描述: 4安培, 600/650伏特N沟道功率MOSFET [4 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 392 K
品牌: UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
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4N60
电气特性(续)
功率MOSFET
参数
符号
测试条件
最小典型最大
开关特性
导通延迟时间
t
D(上)
13 35
V
DD
= 300V ,我
D
= 4.0A ,R
G
= 25Ω
开启上升时间
t
R
45 100
(注1,2)
打开-O FF延迟时间
t
D(关闭)
25 60
关断下降时间
t
F
35 80
总栅极电荷
Q
G
15 20
V
DS
= 480V ,我
D
= 4.0A ,V
GS
= 10 V
栅极 - 源电荷
Q
GS
3.4
(注1,2)
栅极 - 漏极电荷
Q
GD
7.1
源 - 漏二极管额定值和特性
漏源二极管的正向电压
V
SD
V
GS
= 0 V,I
S
= 4.4 A
1.4
最大连续漏源二极管
I
S
4.4
正向电流
最大脉冲漏源极二极管
I
SM
17.6
正向电流
V
GS
= 0 V,I
S
= 4.4 A,
反向恢复时间
t
RR
250
dI
F
/ DT = 100 A / μs的(注1 )
1.5
反向恢复电荷
Q
RR
注:1.脉冲测试:脉冲width≤300μs ,职务cycle≤2 %
2.基本上是独立工作温度
单位
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
A
A
ns
μC
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
www.unisonic.com.tw
3 8
QW-R502-061,N