4N60
绝对最大额定值
(T
C
= 25° С ，除非另有规定）
功率MOSFET
参数
符号
评级
单位
漏源电压
V
DSS
600
V
栅源电压
V
GSS
±30
V
雪崩电流（注2）
I
AR
4.4
A
4.0
A
连续
I
D
漏电流
脉冲（注2）
I
DM
16
A
260
mJ
单脉冲4N60
E
AS
（注3）
雪崩能量
4N60-E
200
mJ
重复的（注2）
E
AR
10.6
mJ
峰值二极管恢复的dv / dt （注4 ）
dv / dt的
4.5
V / ns的
TO-220/TO-262/TO-263
106
TO-220F/TO-220F1
36
功耗
P
D
W
TO-220F2
38
TO- 251 / TO- 252
50
结温
T
J
+150
°С
工作温度
T
OPR
-55 ~ +150
°С
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
°С
注：1。绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
2.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温
3. L = 30mH ，我
AS
= 4A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25
Ω,
起始物为
J
= 25°C
4. I
SD
≤4.4A,
的di / dt
≤200A/μs,
V
DD
ΔBV
DSS
，起始物为
J
= 25°C
热数据
参数
结到环境
包
TO-220/TO-262/TO-263
TO-220F/TO-220F1
TO-220F2
TO- 251 / TO- 252
TO-220/TO-262/TO-263
TO-220F/TO-220F1
TO-220F2
TO- 251 / TO- 252
符号
θ
JA
评级
62.5
62.5
62.5
83
1.18
3.47
3.28
2.5
单位
°С/W
结到外壳
θ
Jc
°С/W
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2第8
QW-R502-061,Q
UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
