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型号: 2N60
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内容描述: 2A , 600V N沟道功率MOSFET [2A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 6 页 / 240 K
品牌: UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
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UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
2N60
2A , 600V N沟道功率
MOSFET
描述
在UTC
2N60
是一个高压功率MOSFET和是
设计成具有更好的特性,如快速切换时间,
低栅极电荷,低通态电阻,并具有高耐用
雪崩特性。这种功率MOSFET通常用在
高速开关电源中的应用, PWM马达
控制,高效率的直流 - 直流转换器和电桥电路。
1
功率MOSFET
1
TO-220
1
TO-220F
1
TO-220F1
TO-262
特点
* R
DS ( ON)
= 5Ω@V
GS
= 10V
*超低栅极电荷(典型值9.0nC )
*低反向传输电容(C
RSS
=典型5.0 pF的)
*快速开关能力
*较高的雪崩能量
*改进dv / dt能力,高耐用性
1
TO-251
1
TO-252
1
1
TO-126
TO-251L
符号
订购信息
订购数量
无铅
无卤
2N60L-TA3-T
2N60G-TA3-T
2N60L-TF1-T
2N60G-TF1-T
2N60L-TF3-T
2N60G-TF3-T
2N60L-TM3-T
2N60G-TM3-T
2N60L-TMA-T
2N60G-TMA-T
2N60L-TN3-R
2N60G-TN3-R
2N60L-TN3-T
2N60G-TN3-T
2N60L-T2Q-T
2N60G-T2Q-T
2N60L-T60-K
2N60G-T60-K
注:引脚分配: G:门D:漏极S:源
TO-220
TO-220F1
TO-220F
TO-251
TO-251L
TO-252
TO-252
TO-262
TO-126
引脚分配
1
2
3
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
填料
带盘
体积
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1 6
QW-R502-053.P