2N60
电气特性
(T
J
= 25° С ，除非另有规定）
参数
开关特性
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
符号
BV
DSS
I
DSS
测试条件
功率MOSFET
最小典型最大单位
V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA
600
V
V
DS
= 600V, V
GS
= 0V
10
μA
100 nA的
前锋
V
GS
= 30V, V
DS
= 0V
栅极 - 源极漏电流
I
GSS
反向
V
GS
= -30V, V
DS
= 0V
-100 nA的
击穿电压温度系数
ΔBV
DSS
/
△
T
J
I
D
= 250μA ，引用至25℃
0.4
V/°С
基本特征
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
2.0
4.0
V
静态漏源导通电阻
R
DS （ ON）
V
GS
= 10V ，我
D
=1A
3.6
5
Ω
动态特性
270 350 pF的
输入电容
C
国际空间站
V
DS
=25V, V
GS
=0V,
输出电容
C
OSS
40
50
pF
F = 1MHz的
反向传输电容
C
RSS
5
7
pF
开关特性
10
30
ns
导通延迟时间
t
D（上）
开启上升时间
t
R
25
60
ns
V
DD
= 300V ，我
D
=2.4A,
R
G
= 25Ω （注1,2）
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
20
50
ns
关断下降时间
t
F
25
60
ns
总栅极电荷
Q
G
9.0
11
nC
V
DS
=480V, V
GS
=10V,
栅极 - 源电荷
Q
GS
1.6
nC
I
D
= 2.4A （注1,2）
栅极 - 漏极电荷
Q
GD
4.3
nC
漏源二极管的特性
漏源二极管的正向电压
V
SD
V
GS
= 0 V，I
SD
= 2.0 A
1.4
V
连续漏 - 源电流
I
SD
2.0
A
脉冲漏源电流
I
SM
8.0
A
180
ns
反向恢复时间
t
rr
V
GS
= 0 V，I
SD
= 2.4A,
的di / dt = 100 A / μs的（注1 ）
反向恢复电荷
Q
RR
0.72
μC
注：1.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比cycle≤2 ％
2.基本上是独立工作温度
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3 6
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