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2N60 参数 Datasheet PDF下载

2N60图片预览
型号: 2N60
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内容描述: MOS [MOS]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 366 K
品牌: UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
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2N60
电气特性(续)
参数
符号
测试条件
开关特性
导通延迟时间
t
D(上)
V
DD
= 300V ,我
D
= 2.4A ,R
G
=25Ω
开启上升时间
t
R
(注1,2)
打开-O FF延迟时间
t
D(关闭)
关断下降时间
t
F
总栅极电荷
Q
G
V
DS
=480V, V
GS
= 10V ,我
D
=2.4A
栅极 - 源电荷
Q
GS
(注1,2)
栅极 - 漏极电荷
Q
GD
漏源二极管的特性
漏源二极管的正向电压
V
SD
V
GS
= 0 V,I
SD
= 2.0 A
连续漏 - 源电流
I
SD
脉冲漏源电流
I
SM
V
GS
= 0 V,I
SD
= 2.4A,
反向恢复时间
t
RR
的di / dt = 100 A / μs的(注1)
反向恢复电荷
Q
RR
注:1.脉冲测试:脉冲宽度
300μS ,占空比
2%
2.基本上是独立工作温度
功率MOSFET
最小典型最大单位
10
25
20
25
9.0
1.6
4.3
30
60
50
60
11
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
A
A
ns
μC
1.4
2.0
8.0
180
0.72
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
www.unisonic.com.tw
3 8
QW-R502-053,I