2N50G-TF3-T 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2N50G-TF3-T
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内容描述：	2A ， 500V N沟道功率MOSFET [2A, 500V N-CHANNEL POWER MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	6 页 / 176 K
品牌：	UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]

2N50

初步

符号

DSS

GSS

功率MOSFET

绝对最大额定值

= 25 ℃，除非另有规定）

评级

单位

500

±30

2 （注3）

8 （注3 ）

单脉冲

雪崩能量

重复（注

3.3

TO-220F

功率耗散（T

=25°C)

TO-252

TO-220F

0.18

W / ℃，

减免上述25℃

0.4

TO-252

结温

+150

°C

储存温度

英镑

-55~+150

°C

注：1。绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。

绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。

2.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温

3.漏电流受最高结温

4.脉冲测试：脉冲宽度

≤

300μS ，占空比

≤

参数

漏源电压

栅源电压

连续（T

=25°C)

漏电流

脉冲（注

雪崩电流（注

热数据

参数

结到环境

结到外壳

TO-220F

TO-252

TO-220F

TO-252

符号

评级

62.5

110

5.5

2.5

单位

° C / W

UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。， LTD。

www.unisonic.com.tw

2 6

QW-R502-547.b

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