2N5088/2N5089
参数
符号
NPN外延硅晶体管
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ℃ ，除非另有说明）
评级
单位
2N5088
30
集电极 - 发射极电压
V
首席执行官
V
2N5089
25
2N5088
35
集电极 - 基极电压
V
CBO
V
2N5089
30
发射极 - 基极电压
V
EBO
4.5
V
集电极电流连续
I
C
100
mA
功耗
625
mW
P
D
减免上述25 °
毫瓦/ °
5
℃
结温
T
J
150
℃
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
注1：这些评级是基于150度C的最高结温
2.这些都是稳定状态的限制。工厂应在涉及脉冲或低负载应用进行咨询
周期操作。
3.绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
热数据
(T
A
= 25 ℃ ，除非另有说明）
参数
结到环境
结到外壳
符号
θ
JA
θ
JC
评级
200
83.3
单位
℃/W
℃/W
电气特性
(T
A
= 25 ℃ ，除非另有说明）
参数
开关特性
集电极 - 发射极
击穿电压
集电极 - 基极击穿
电压
集电极截止电流
发射Cuto FF电流
符号
2N5088
2N5089
2N5088
2N5089
2N5088
2N5089
测试条件
民
30
25
35
30
50
50
50
100
900
1200
典型值
最大
单位
V(
BR ） CEO
I
C
= 1.0毫安，我
B
= 0 （注）
V
（ BR ） CBO
I
C
= 100μA ，我
E
=0
I
CBO
I
EBO
V
CB
= 20V ，我
E
=0
V
CB
= 15V ，我
E
=0
V
EB
= 3.0V ，我
C
=0
V
EB
= 4.5V ，我
C
=0
V
CE
= 5.0V ，我
C
=100μA
2N5088
2N5089
2N5088
2N5089
2N5088
2N5089
V
V
nA
nA
直流电流增益
h
FE
V
CE
= 5.0V ，我
C
=1.0mA
V
CE
= 5.0V ，我
C
=10mA
（注）
I
C
= 10毫安，我
B
=1.0mA
I
C
= 10毫安，V
CE
=5.0V
300
400
350
450
300
400
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE （ SAT ）
基射极电压上
V
BE（上）
小信号特性
电流增益带宽积
f
T
V
CE
= 5.0毫安，我
C
= 500μA ， F = 20MHz的
集电极 - 基极电容
C
CB
V
CB
= 5.0V ，我
E
= 0中，f = 100KHz的
发射极 - 基极电容
C
EB
V
EB
= 0.5V ，我
C
= 0中，f = 100KHz的
2N5088
小信号电流增益
h
FE
V
CE
= 5.0V ，我
C
= 1.0毫安， F = 1.0kHz
2N5089
2N5088
V
CE
= 5.0V ，我
C
= 100μA ，R
S
=10kΩ,
噪声系数
NF
F = 10KHz的〜 15.7kHz
2N5089
注意脉冲测试：脉冲Width≤300μs ，职务Cycle≤2.0 ％
0.5
0.8
50
4
10
1400
1800
3.0
2.0
V
V
兆赫
pF
pF
350
450
dB
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
2 3
QW-R201-040.Ba
UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
