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25N06G-TA3-T 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 25N06G-TA3-T
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内容描述: 25A , 60V N沟道功率MOSFET [25A, 60V N-CHANNEL POWER MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 6 页 / 182 K
品牌: UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
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UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
25N06
初步
功率MOSFET
25A , 60V N沟道
功率MOSFET
描述
在UTC
25N06
是N沟道增强模式功率
MOSFET ,可提供低门电荷,雪崩坚固耐用
技术,等等。
在UTC
25N06
在DC-DC & DC-AC是普遍适用
转换器,电机控制,大电流,高速开关,
电磁阀和继电器驱动器,稳压器,音频放大器,汽车
环境。
特点
*低栅极电荷
* R
DS ( ON)
= 0.048
(典型值)。
*雪崩坚固的技术
* 100 %的雪崩测试
*重复雪崩,在100℃
*高电流能力
*工作温度: 150℃
*面向应用的表征
符号
2.Drain
1.Gate
3.Source
订购信息
订购数量
无铅
无卤
25N06L-TA3-T
25N06G-TA3-T
25N06L-TN3-T
25N06G-TN3-T
25N06L-TN3-R
25N06G-TN3-R
注:引脚分配: G:门D:漏极,S :源
TO-220
TO-252
TO-252
引脚分配
1
2
3
G
D
S
G
D
S
G
D
S
填料
带盘
www.unisonic.com.tw
©2011 Unisonic技术有限公司
1 6
QW-R502-450.b