25N06
参数
开关特性
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流（V
GS
=0)
初步
功率MOSFET
电气特性
(T
C
= 25 ℃，除非另有规定）
符号
BV
DSS
I
DSS
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值×0.8 ，T
C
=125°C
V
GS
=±20V
最小典型最大单位
60
1
10
±100
2
25
7
2.9
4
0.048 0.065
11
700
320
90
26
8
9
30
90
80
80
900
450
150
40
V
µA
nA
V
Ω
A
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
A
A
栅极 - 源极漏电流（V
DS
=0)
I
GSS
基本特征
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
V
DS
=V
GS
, I
D
=250µA
静态漏源导通电阻
R
DS （ ON）
V
GS
= 10V ，我
D
=12.5A
在国家漏极电流
I
D（上）
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
×R
DS （ ON）最大值
, V
GS
=10V
正向跨导（注1 ）
g
FS
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
×R
DS （ ON）最大值
, I
D
=12.5A
动力参数
输入电容
C
国际空间站
V
GS
=0V, V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
输出电容
C
OSS
反向传输电容
C
RSS
切换参数
总栅极电荷
Q
G
V
DD
=40V, V
GS
= 10V ，我
D
=25A
门源费
Q
GS
栅漏电荷
Q
GD
导通延迟时间
t
D（上）
V
DD
= 30V ，我
D
= 3A ，R
G
=50Ω,
V
GS
=10V
上升时间
t
R
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
V
DD
= 40V ，我
D
= 25A ，R
G
=50Ω,
V
GS
=10V
下降时间
t
F
源 - 漏二极管额定值和特性
漏源二极管的正向电压
V
SD
I
SD
= 25A ，V
GS
= 0V （注1）
源极 - 漏极电流
I
SD
源极 - 漏极电流（脉冲） （注2 ）
I
SDM
注： 1。脉冲：脉冲持续时间= 300μS ，占空比为1.5％ 。
2.脉冲宽度有限的安全工作区
45
130
120
120
1.5
25
100
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
3 6
QW-R502-450.b
UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
