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25N06_11 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 25N06_11
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内容描述: 25A , 60V N沟道功率MOSFET [25A, 60V N-CHANNEL POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 6 页 / 182 K
品牌: UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
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25N06
参数
漏源电压(V
GS
=0)
漏,栅极电压(R
GS
=20kΩ)
栅源电压
漏电流(连续)
T
C
=25°C
T
C
=100°C
初步
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
评级
60
60
± 20
25
17
100
功率MOSFET
单位
V
V
V
A
A
A
绝对最大额定值
漏电流(脉冲) (注2 )
I
DM
单脉冲雪崩能量
E
AS
100
mJ
(起始物为
J
= 25 ° C,I
D
= 25A ,V
DD
=25 V)
TO-220
90
在T功耗
C
=25°C
P
D
W
TO-252
41
结温
T
J
150
°C
储存温度
T
英镑
-65 ~ +150
°C
注: 1。绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
2.脉冲宽度有限的安全工作区
热数据
参数
结到环境
结到外壳
TO-220
TO-252
TO-220
TO-252
符号
θ
JA
θ
JC
评级
62.5
100
1.57
3
单位
° C / W
° C / W
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
www.unisonic.com.tw
2 6
QW-R502-450.b