20N65
初步
功率MOSFET
绝对最大额定值
(T
C
= 25° С ，除非另有规定）
参数
符号
评级
单位
漏源电压
V
DSS
650
V
栅源电压
V
GSS
±30
V
20
A
连续
I
D
漏极电流（T
C
=25°C)
脉冲
I
DM
80
A
雪崩能量
单脉冲（注2 ）
E
AS
1200
mJ
功率耗散（T
C
=25°C)
P
D
300
W
结温
T
J
+150
°C
储存温度
T
英镑
-55~+150
°C
注： 1。绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
2. V
DD
= 50V ，起始物为
J
= 25 ° С ，山顶我
AS
= 20A， L = 6mH
热数据
参数
结到外壳
符号
θ
JC
评级
0.42
单位
°С/ W
电气特性
(T
J
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
开关特性
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
前锋
栅源漏电流
反向
基本特征
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=650V, V
GS
=0V
V
GS
=+30V, V
DS
=0V
V
GS
=-30V, V
DS
=0V
V
DS
=V
GS
, I
D
=250µA
V
GS
= 10V ，我
D
= 10A ，脉冲测试，
t≤300μs ，占空比d≤2 ％
最小典型最大单位
650
V
10 µA
100 nA的
-100 nA的
4.0
0.32 0.45
4500
420
140
150
29
60
20
43
70
40
170
40
85
40
60
90
60
20
80
1.5
V
Ω
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
A
A
V
2.0
动力参数
输入电容
C
国际空间站
V
GS
=0V, V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
输出电容
C
OSS
反向传输电容
C
RSS
切换参数
总栅极电荷
Q
G
V
GS
=10V, V
DS
= 520V ，我
D
=10A
门源费
Q
GS
（注1,2）
栅漏电荷
Q
GD
导通延迟时间
t
D（上）
上升时间
t
R
V
GS
=10V, V
DS
= 325V ，我
D
=10A,
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
R
G
= 2Ω （注1,2）
下降时间
t
F
源 - 漏二极管额定值和特性
最大体二极管连续
I
S
V
GS
=0V
当前
最大体二极管脉冲电流
I
SM
重复
I
F
=I
S
, V
GS
= 0V ，脉冲测试，
漏源二极管的正向电压
V
SD
t≤300μs ，占空比d≤2 ％
注：1.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比cycle≤2 ％
2.基本上是独立工作温度
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