20N60G-T3P-T 参数 Datasheet PDF下载

型号：	20N60G-T3P-T
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内容描述：	20A ， 600V N沟道功率MOSFET [20A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	3 页 / 171 K
品牌：	UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]

UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。， LTD。

20N60

20A ， 600V N沟道

功率MOSFET

描述

在UTC

20N60

是N沟道增强模式功率

UTC采用的先进技术，为客户提供MOSFET

与平面条形和DMOS技术。该技术是

专门允许的最小的导通电阻和优越的

开关性能。它也可以承受高能量脉冲

雪崩和减刑模式。

在UTC

20N60

在电机控制中的普遍应用， UPS ， DC

斩波器和开关模式和谐振模式电源。

功率MOSFET

特点

* R

DS （ ON）

= 0.45Ω @V

= 10V

*高开关速度

符号

2.Drain

1.Gate

3.Source

订购信息

订购数量

无铅

无卤

20N60L-T3P-T

20N60G-T3P-T

20N60L-T47-T

20N60G-T47-T

注：引脚分配： G：门D：漏极

S：源

包

TO-3P

TO-247

引脚分配

填料

管

www.unisonic.com.tw

1第3

QW-R502-587.E

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