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    1N80G-TF1-T 参数 Datasheet PDF下载

    1N80G-TF1-T图片预览
    型号： 1N80G-TF1-T
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 1.0安培， 800伏特N沟道功率MOSFET [1.0 Amps, 800 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 6 页 / 158 K
    品牌： UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
     浏览型号1N80G-TF1-T的Datasheet PDF文件第2页浏览型号1N80G-TF1-T的Datasheet PDF文件第3页浏览型号1N80G-TF1-T的Datasheet PDF文件第4页浏览型号1N80G-TF1-T的Datasheet PDF文件第5页浏览型号1N80G-TF1-T的Datasheet PDF文件第6页  
    UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
    1N80
    初步
    功率MOSFET
    1.0安培， 800伏
    N沟道功率MOSFET
    描述
    在UTC
    1N80
    是用一个N沟道模式功率场效应管UTC的
    先进的技术，提供costomers与平面条形和
    DMOS技术。这项技术专门让最小
    通态电阻和优越的开关性能。它也可以
    承受高能量脉冲雪崩和减刑模式。
    在UTC
    1N80
    在高效率开关模式被普遍应用
    电源。
    1
    TO-220
    1
    TO-220F
    1
    TO-220F1
    特点
    * 1.0A ， 800V ，R
    DS （ ON）
    =12Ω @V
    GS
    =10V
    *高开关速度
    *改进dv / dt能力
    * 100 ％的雪崩测试
    符号
    2.Drain
    1.Gate
    3.Source
    订购信息
    订购数量
    无铅
    无卤
    1N80L-TA3-T
    1N80G-TA3-T
    1N80L-TF3-T
    1N80G-TF3-T
    1N80L-TF1-T
    1N80G-TF1-T
    注：引脚分配： G：门D：漏极
    包
    TO-220
    TO-220F
    TO-220F1
    S：源
    引脚分配
    1
    2
    3
    G
    D
    S
    G
    D
    S
    G
    D
    S
    填料
    管
    管
    管
    www.unisonic.com.tw
    ©2010 Unisonic技术有限公司
    1 6
    QW-R502-491.a

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