UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
1N70Z
1.2A , 700V N沟道
功率MOSFET
描述
在UTC
1N70Z
是一个高电压MOSFET设计成具有
更好的特性,如快速切换时间,低栅极电荷
低通态电阻和高的耐用雪崩特性。
这种功率MOSFET通常用在高速开关
应用在电源供应器, PWM马达控制,高效
DC到DC转换器和电桥电路。
功率MOSFET
特点
* R
DS ( ON)
=13.5Ω@V
GS
= 10V.
*超低栅极电荷(典型值5.0nC )
*低反向传输电容(C
RSS
=典型3.0 pF的)
*快速开关能力
*较高的雪崩能量
*改进dv / dt能力,高耐用性
符号
2.Drain
1.Gate
3.Source
订购信息
订购数量
无铅
无卤
1N70ZL-T92-B
1N70ZG-T92-B
1N70ZL-T92-K
1N70ZG-T92-K
1N70ZL-T92-R
1N70ZG-T92-R
包
TO-92
TO-92
TO-92
引脚分配
1
2
3
G
D
S
G
D
S
G
D
S
填料
磁带盒
体积
带盘
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