1N70Z
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ℃ ，除非另有规定）
功率MOSFET
参数
符号
评级
单位
漏源电压
V
DSS
700
V
栅源电压
V
GSS
±20
V
雪崩电流（注2）
I
AR
1.2
A
连续漏电流
I
D
1.2
A
漏电流脉冲（注2 ）
I
DM
4.8
A
50
mJ
单脉冲（注3 ）
E
AS
雪崩能量
重复的（注2）
E
AR
4.0
mJ
峰值二极管恢复的dv / dt （注4 ）
dv / dt的
4.5
V / ns的
功耗
P
D
3
W
结温
T
J
+150
℃
℃
工作温度
T
OPR
-55 ~ +150
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
℃
注：1。绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
2.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温
3. L = 60mH ，我
AS
= 1A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25Ω ，起始物为
J
= 25°C
4. I
SD
≤
1.2A ， di / dt的
≤
200A / μs的，V
DD
≤
BV
DSS
，起始物为
J
= 25°C
热数据
参数
结到环境
结到外壳
符号
θ
JA
θ
Jc
评级
79
29
单位
℃/W
℃/W
电气特性
(T
C
= 25 ℃ ，除非另有说明）。
参数
开关特性
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
符号
BV
DSS
I
DSS
测试条件
民
700
10
+5
-5
0.4
2.0
9.3
120
20
3.0
5
25
7
25
5.0
1.0
2.6
4.0
13.5
150
25
4.0
20
60
25
60
6.0
典型最大单位
V
μA
μA
μA
V/℃
V
Ω
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA
V
DS
= 700V, V
GS
= 0V
前锋
V
GS
= 20V, V
DS
= 0V
栅极 - 源极漏电流
I
GSS
反向
V
GS
= -20V, V
DS
= 0V
击穿电压温度系数
ΔBV
DSS
/
△
T
J
I
D
= 250μA
基本特征
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
静态漏源导通电阻
R
DS （ ON）
V
GS
= 10V ，我
D
= 0.6A
动态特性
输入电容
C
国际空间站
V
DS
=25V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
输出电容
C
OSS
反向传输电容
C
RSS
开关特性
导通延迟时间
t
D（上）
开启上升时间
t
R
V
DD
= 350V ，我
D
= 1.2A ，R
G
=50Ω
（注2,3 ）
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
关断下降时间
t
F
总栅极电荷
Q
G
V
DS
=560V, V
GS
=10V,
栅极 - 源电荷
Q
GS
I
D
= 1.2A （注2,3 ）
栅极 - 漏极电荷
Q
GD
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www.unisonic.com.tw
2 7
QW-R502-723.B
UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
