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    1N70L-T92-B 参数 Datasheet PDF下载

    1N70L-T92-B图片预览
    型号： 1N70L-T92-B
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    内容描述： 1.2A ， 700V N沟道功率MOSFET [1.2A, 700V N-CHANNEL POWER MOSFET]
    分类和应用： 晶体小信号场效应晶体管开关
    文件页数/大小： 8 页 / 307 K
    品牌： UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
     浏览型号1N70L-T92-B的Datasheet PDF文件第1页浏览型号1N70L-T92-B的Datasheet PDF文件第2页浏览型号1N70L-T92-B的Datasheet PDF文件第3页浏览型号1N70L-T92-B的Datasheet PDF文件第4页浏览型号1N70L-T92-B的Datasheet PDF文件第5页浏览型号1N70L-T92-B的Datasheet PDF文件第6页浏览型号1N70L-T92-B的Datasheet PDF文件第8页  
    1N70
    典型特征（续）
    功率MOSFET
    漏源击穿电压BV
    DSS ，
    （归一化） （V）的
    漏源导通电阻，R
    DS （ ON）
    （归一化）（ Ω ）
    马克斯。安全工作区
    在这一领域是
    限于由R
    DS （ ON）
    漏电流，我
    D
    (A)
    100μs
    漏电流，我
    D
    (A)
    1ms
    10
    0
    马克斯。漏电流与外壳温度
    1.2
    10
    1
    0.9
    10ms
    DC
    0.6
    10
    -1
    T
    c
    =25℃
    T
    J
    =150℃
    单脉冲
    10
    -2
    10
    0
    10
    1
    10
    2
    10
    3
    0.3
    0.0
    25
    50
    75
    100
    125
    150
    漏极 - 源极电压V
    DS
    (V)
    外壳温度，T
    C
    (℃)
    热响应，
    θ
    JC
    (t)
    UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
    www.unisonic.com.tw
    第7 8
    QW-R502-171,C

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