1N65G-T60-K 参数 Datasheet PDF下载

型号：	1N65G-T60-K
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内容描述：	1.2A ， 650V N沟道功率MOSFET [1.2A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	6 页 / 293 K
品牌：	UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]

UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。， LTD。

1N65

1.2A ， 650V N沟道

功率MOSFET

TO-92

功率MOSFET

描述

在UTC

1N65

是一个高压功率MOSFET ，并设计

有更好的特性，如快速开关时间，低门

电荷，低通态电阻和高的耐用雪崩

的特点。这种功率MOSFET通常是在高速使用

开关电源， PWM马达控制应用中，高

高效率的DC -DC转换器和电桥电路。

SOT-223

TO-220

TO-220F

特点

* R

DS （ ON）

=12.5Ω@V

= 10V.

*超低栅极电荷（典型值5.0nC ）

*低反向传输电容（C

RSS

=典型3.0 pF的）

*快速开关能力

*较高的雪崩能量

*改进dv / dt能力，高耐用性

TO-251

TO-252

符号

TO-126

订购信息

订购数量

无铅

无卤

1N65L-AA3-R

1N65G-AA3-R

1N65L-T92-B

1N65G-T92-B

1N65L-T92-K

1N65G-T92-K

1N65L - T92- ř

1N65G - T92- ř

1N65L-TA3-T

1N65G-TA3-T

1N65L-TF3-T

1N65G-TF3-T

1N65L-TM3-T

1N65G-TM3-T

1N65L-TN3-R

1N65G-TN3-R

1N65L-TN3-T

1N65G-TN3-T

1N65L-T60-K

1N65G-T60-K

注：引脚分配： G：门D：漏极S：源

包

SOT-223

TO-92

TO-220

TO-220F

TO-251

TO-252

TO-126

引脚分配

填料

带盘

磁带盒

体积

带盘

管

带盘

管

体积

www.unisonic.com.tw

1 6

QW-R502-579.B

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