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1N65AG-T92-B 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 1N65AG-T92-B
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内容描述: 0.5A , 650V N沟道功率MOSFET [0.5A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 197 K
品牌: UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
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UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
1N65A
0.5A , 650V N沟道
功率MOSFET
描述
在UTC
1N65A
是一个高压功率MOSFET设计
有更好的特性,如快速开关时间,低门
电荷,低通态电阻和高的耐用雪崩
的特点。这是功率MOSFET通常用于高速
在开关电源应用中, PWM马达控制,高
高效率的DC -DC转换器和电桥电路。
功率MOSFET
特点
* R
DS ( ON)
=15.5Ω@V
GS
= 10V.
*超低栅极电荷(典型值8.0nC )
*低反向传输电容(C
RSS
= 3.0 pF的(最大) )
*快速开关能力
*较高的雪崩能量
*改进dv / dt能力,高耐用性
符号
2.Drain
1.Gate
3.Source
订购信息
订购数量
无铅
无卤
1N65AL-T92-B
1N65AG-T92-B
1N65AL-T92-K
1N65AG-T92-K
1N65AL-T92-R
1N65AG-T92-R
注:引脚分配: G:门D:漏极S:源
1N65AL-T92-B
( 1 )包装类型
( 2 )封装类型
( 3 )无铅
TO-92
TO-92
TO-92
引脚分配
1
2
3
G
D
S
G
D
S
G
D
S
填料
磁带盒
体积
带盘
( 1 ) B:磁带盒, K:散装, R:带卷轴
( 2 ) T92 : TO- 92
( 3 )G :无卤,L :无铅
www.unisonic.com.tw
©2011 Unisonic技术有限公司
1第8
QW-R502-584.B