1N65AL-T92-R 参数 Datasheet PDF下载

型号：	1N65AL-T92-R
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内容描述：	0.5A ， 650V N沟道功率MOSFET [0.5A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	8 页 / 197 K
品牌：	UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]

1N65A

绝对最大额定值

(

= 25℃ ，除非另有说明）。

功率MOSFET

参数

符号

评级

单位

漏源电压

DSS

650

栅源电压

GSS

±30

连续漏电流

0.5

漏电流脉冲（注2 ）

单脉冲（注3 ）

雪崩能量

重复的（注2）

3.6

4.0

峰值二极管恢复的dv / dt （注4 ）

dv / dt的

4.5

V / ns的

功率耗散（T

=25°C)

减免上述25℃

毫瓦/°C的

结温

+150

°C

工作温度

OPR

-55 ~ +150

°C

储存温度

英镑

-55 ~ +150

°C

注： 1。绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。

绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。

2.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温

3. L = 92mH ，我

= 0.8A ，V

= 50V ，R

= 0Ω ，起始物为

=25°C

4. I

≤1.0A,

DI / dt≤100A / μs的，V

ΔBV

DSS

，起始物为

=25°C

热数据

参数

结到环境

符号

评级

120

单位

° C / W

UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。， LTD。

www.unisonic.com.tw

2第8

QW-R502-584.B

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