1N60 参数 Datasheet PDF下载

型号：	1N60
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内容描述：	1.2安培， 600/650伏特N沟道MOSFET [1.2 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	6 页 / 270 K
品牌：	UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]

UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。， LTD。

1N60

1.2安培， 600/650伏特

N沟道MOSFET

TO-92

功率MOSFET

描述

在UTC

1N60

是一个高电压MOSFET ，并设计成

有更好的特性，如快速开关时间，低门

电荷，低通态电阻，并具有高耐用

雪崩特性。这种功率MOSFET通常用在

高速开关电源中的应用， PWM马达

控制，高效率的直流 - 直流转换器和电桥电路。

SOT-223

TO-220

TO-220F

特点

* R

DS （ ON）

=11.5Ω@V

= 10V.

*超低栅极电荷（典型值5.0nC ）

*低反向传输电容（C

RSS

=典型3.0 pF的）

*快速开关能力

*较高的雪崩能量

*改进dv / dt能力，高耐用性

TO-251

TO-252

符号

2.Drain

TO-126

1.Gate

3.Source

订购信息

订购数量

包

无铅

无卤

1N60L-x-AA3-R

1N60G-x-AA3-R

SOT-223

1N60L-x-T92-B

1N60G-x-T92-B

TO-92

1N60L-x-T92-K

1N60G-x-T92-K

TO-92

1N60L-x-TA3-T

1N60G-x-TA3-T

TO-220

1N60L-x-TF3-T

1N60G-x-TF3-T

TO-220F

1N60L-x-TM3-T

1N60G-x-TM3-T

TO-251

1N60L-x-TN3-R

1N60G-x-TN3-R

TO-252

1N60L-x-TN3-T

1N60G-x-TN3-T

TO-252

1N60L-x-T60-K

1N60G-x-T60-K

TO-126

注：引脚分配： G：门D：漏极S：源

引脚分配

填料

带盘

磁带盒

体积

管

带盘

管

体积

www.unisonic.com.tw

1 6

QW-R502-052,I

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