UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
1N60Z
1.2A ， 600V N沟道
功率MOSFET
描述
在UTC
1N60Z
是一个高电压MOSFET ，并设计成
有更好的特性，如快速开关时间，低门
电荷，低通态电阻和高的耐用雪崩
的特点。这种功率MOSFET通常用在高
在电源开关速度的应用， PWM马达
控制，高效率的直流 - 直流转换器和电桥电路。
功率MOSFET
特点
* R
DS （ ON）
=11.5Ω@V
GS
= 10V.
*超低栅极电荷（典型值5.0nC ）
*低反向传输电容（C
RSS
=典型3.0 pF的）
*快速开关能力
*较高的雪崩能量
*改进dv / dt能力，高耐用性
符号
2.Drain
1.Gate
3.Source
订购信息
订购数量
无铅
无卤
1N60ZL-T92-B
1N60ZG-T92-B
1N60ZL-T92-K
1N60ZG-T92-K
1N60ZL-T92-R
1N60ZG-T92-R
1N60ZL-TN3-R
1N60ZG-TN3-R
1N60ZL-TN3-T
1N60ZG-TN3-T
注：引脚分配： G：门
D：漏极S：源
1N60ZL-T92-B
（ 1 ）包装类型
（ 2 ）封装类型
（ 3 ）无铅
包
TO-92
TO-92
TO-92
TO-252
TO-252
引脚分配
1
2
3
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
填料
磁带盒
体积
带盘
带盘
管
（ 1 ） B：磁带盒， K：散装， R：带卷轴，T ：管
（ 2 ） T92 ： TO- 92 ， TN3 ： TO- 252
（ 3 ）G ：无卤，L ：无铅
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1 6
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