1N60P
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ℃ ,除非另有规定)
功率MOSFET
参数
符号
评级
单位
漏源电压
V
DSS
600
V
栅源电压
V
GSS
±30
V
雪崩电流(注2)
I
AR
1.2
A
连续漏电流
I
D
1.2
A
漏电流脉冲(注2 )
I
DM
4.8
A
单脉冲(注3 )
E
AS
50
mJ
雪崩能量
4.0
mJ
重复的(注2)
E
AR
峰值二极管恢复的dv / dt (注4 )
dv / dt的
4.5
V / ns的
功率耗散(T
A
=25℃)
P
D
1
W
结温
T
J
+150
℃
℃
工作温度
T
OPR
-55 ~ +150
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
℃
注:1。绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
2.重复评价:脉冲宽度有限的最高结温
3. L = 60mH ,我
AS
= 1A ,V
DD
= 50V ,R
G
= 25Ω ,起始物为
J
= 25°C
4. I
SD
≤
1.2A , di / dt的
≤
200A / μs的,V
DD
≤
BV
DSS
,起始物为
J
= 25°C
热数据
参数
结到环境
符号
θ
JA
评级
140
单位
℃/W
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
www.unisonic.com.tw
2 6
QW-R502-634.A