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1N60L-T92-K 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 1N60L-T92-K
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内容描述: 1.2A , 600V N沟道功率MOSFET [1.2A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 6 页 / 277 K
品牌: UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
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1N60
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ℃ ,除非另有规定)
参数
符号
V
DSS
V
GSS
I
AR
I
D
I
DM
E
AS
E
AR
dv / dt的
功率MOSFET
评级
单位
漏源电压
600
V
栅源电压
±30
V
雪崩电流(注2)
1.2
A
连续漏电流
1.2
A
漏电流脉冲(注2 )
4.8
A
单脉冲(注3 )
50
mJ
雪崩能量
4.0
mJ
重复的(注2)
峰值二极管恢复的dv / dt (注4 )
4.5
V / ns的
SOT-223
1
W
TO- 251 / TO- 252
28
W
TO-220
40
W
功耗
P
D
TO-220F
21
W
TO-92(T
a
=25℃)
1
W
TO-126
12.5
W
结温
T
J
+150
工作温度
T
OPR
-55 ~ +150
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
注:1。绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
2.重复评价:脉冲宽度有限的最高结温
3. L = 60mH ,我
AS
= 1A ,V
DD
= 50V ,R
G
= 25Ω ,起始物为
J
= 25°C
4. I
SD
1.2A , di / dt的
200A / μs的,V
DD
BV
DSS
,起始物为
J
= 25°C
热数据
参数
SOT-223
TO- 251 / TO- 252
TO-220
TO-220F
TO-92
TO-126
SOT-223
TO- 251 / TO- 252
TO-220
TO-220F
TO-126
符号
评级
150
110
62.5
62.5
140
132
14
4.53
3.13
5.95
10
单位
结到环境
θ
JA
℃/W
结到外壳
θ
Jc
℃/W
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
www.unisonic.com.tw
2 6
QW-R502-052.J