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1N60AG-x-T92-B 参数 Datasheet PDF下载

1N60AG-x-T92-B图片预览
型号: 1N60AG-x-T92-B
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内容描述: 0.5安培, 600/650伏特N沟道MOSFET [0.5 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 224 K
品牌: UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
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1N60A
典型特征
输出特性
V
GS
15.0V
10.0V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5V
Bottorm : 4.5V
TOP :
功率MOSFET
传输特性
V
DS
=50V
250μs的脉冲测试
10
0
漏电流,我
D
(A)
4.5V
漏电流,我
D
(A)
10
0
10
-1
10
0
250μs的脉冲测试
T
C
=25°C
10
1
10
-1
2
4
6
8
栅源电压,V
GS
(V)
源 - 漏二极管正向电压
V
GS
=0V
250μs的脉冲测试
10
漏极 - 源极电压V
DS
(V)
导通电阻与漏电流
T
J
=25°C
反向漏电流,I
DR
(A)
漏源导通电阻,R
DS ( ON)
(Ω)
30
25
20
15
10
5
0
V
GS
=10V
V
GS
=20V
10
0
10
-1
0.0
0.5
1.5
1.0
漏电流,我
D
(A)
2.0
2.5
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
源极 - 漏极电压,V
SD
(V)
1.6
200
电容与漏源电压
C
ISS =
C
GS
+C
GD
(C
DS
=短路)
C
OSS
=C
DS
+C
GD
C
RSS
=C
GD
12
栅源电压,V
GS
(V)
10
8
6
4
2
0
栅极电荷与栅源电压
V
DS
=480V
V
DS
=300V
V
DS
=120V
150
电容(pF)
C
国际空间站
C
OSS
100
50
V
GS
=0V
F = 1MHz的
10
-1
C
RSS
0
I
D
=1.0A
0
2
6
4
8
总栅极电荷,Q
G
( NC )
10
10
0
10
1
汲极SourceVoltage ,V
DS
(V)
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
www.unisonic.com.tw
6 8
QW-R502-091,E