UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
1N60
1.2安培， 600伏
N沟道MOSFET
描述
与UTC 1N60是一个高电压MOSFET ，并设计成
有更好的特性，如快速开关时间，低门
电荷，低通态电阻，并具有高耐用雪崩
的特点。这个功率MOSFET通常用在高速
开关电源中的应用， PWM马达控制，高
高效率的DC -DC转换器和电桥电路。
1
功率MOSFET
TO- 251
1
TO-252
1
TO-220
特点
* R
DS （ ON）
=9.3Ω@V
GS
= 10V.
*超低栅极电荷（典型值5.0nC ）
*低反向传输电容（C
RSS
=典型3.0 pF的）
*快速开关能力
*较高的雪崩能量
*改进dv / dt能力，高耐用性
1
TO-220F
*无铅电镀产品编号： 1N60L
符号
2.Drain
1.Gate
3.Source
订购信息
订单号
包
正常
无铅电镀
1N60-TA3-T
1N60L-TA3-T
TO-220
1N60-TF3-T
1N60L-TF3-T
TO-220F
1N60-TM3-T
1N60L-TM3-T
TO-251
1N60-TN3-R
1N60L-TN3-R
TO-252
1N60-TN3-T
1N60L-TN3-T
TO-252
注：引脚分配： G：门D：漏极S：源
引脚分配
1
2
3
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
填料
管
管
管
带盘
管
1N60L-TA3-T
（ 1 ）包装类型
（ 2 ）封装类型
（ 3 ）铅电镀
（ 1 ） T：管， R：带卷轴
（ 2 ） TA3 ： TO- 220 ， TF3 ： TO- 220F ， TM3 ： TO- 251 ，
TN 3 ： TO- 252
（ 3）L ：无铅电镀空白：铅/锡
,
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1第8
QW-R502-052,D
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