UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
1N50Z
初步
功率MOSFET
1.3A , 500V N沟道
功率MOSFET
描述
在UTC
1N50Z
是用一个N沟道型功率MOSFET的
UTC的先进技术,为客户提供平面条形
和DMOS技术。该技术允许的最小导通状态
电阻和出色的开关性能。它也能承受
在高能量脉冲雪崩和减刑模式。
在UTC
1N50Z
一般适用于高效率开关
模式电源,有源功率因数校正和电子
基于半桥拓扑灯镇流器。
1
TO-92
特点
* R
DS ( ON)
=4.6Ω @ V
GS
=10V
*高开关速度
* 100 %的雪崩测试
符号
2.Drain
1.Gate
3.Source
订购信息
订购数量
无铅
无卤
1N50ZL-T92-B
1N50ZG-T92-B
1N50ZL-T92-K
1N50ZG-T92-K
1N50ZL-T92-R
1N50ZG-T92-R
注:引脚分配: G:门D:漏极
S:源
包
TO-92
TO-92
TO-92
引脚分配
1
2
3
G
D
S
G
D
S
G
D
S
填料
磁带盒
体积
带盘
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1 6
QW-R502-726.b