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1N50ZL-T92-B 参数 Datasheet PDF下载

1N50ZL-T92-B图片预览
型号: 1N50ZL-T92-B
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内容描述: 1.3A , 500V N沟道功率MOSFET [1.3A, 500V N-CHANNEL POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 6 页 / 178 K
品牌: UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
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1N50Z
初步
功率MOSFET
电气特性(续)
参数
符号
测试条件
切换参数
总栅极电荷
Q
G
V
GS
=10V, V
DS
= 400V ,我
D
=1.5A
门源费
Q
GS
(注1,2)
栅漏电荷
Q
GD
导通延迟时间
t
D(上)
上升时间
t
R
V
DD
= 250V ,我
D
= 1.5A ,R
G
=25Ω
(注1,2)
打开-O FF延迟时间
t
D(关闭)
下降时间
t
F
源 - 漏二极管额定值和特性
最大体二极管连续电流
I
S
最大体二极管脉冲电流
I
SM
漏源二极管的正向电压
V
SD
I
S
= 1.3A ,V
GS
=0V
体二极管反向恢复时间
t
rr
I
S
= 1.5A ,V
GS
=0V,
dI
F
/ DT = 100A / μs的(注1 )
体二极管反向恢复电荷
Q
RR
注:1.脉冲测试:脉冲宽度
300μS ,占空比
2%
2.基本上是独立工作温度
最小典型最大单位
11
1.6
5.5
12
13
42
15
16
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
A
A
V
ns
µC
35
35
90
40
1.3
5
1.15
162
0.54
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
www.unisonic.com.tw
3 6
QW-R502-726.b