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型号: 1N40
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内容描述: 1安培, 400伏特N沟道功率MOSFET [1 Amps, 400 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 168 K
品牌: UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
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1N40
参数
初步
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
I
AR
E
AS
E
AR
dv / dt的
功率MOSFET
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ℃,除非另有规定)
评级
单位
漏源电压
400
V
栅源电压
±30
V
连续(T
C
=25°C)
1.4
A
漏电流
脉冲(注1 )
5.6
A
雪崩电流(注1 )
1.4
A
单脉冲(注2 )
85
mJ
雪崩能量
重复(注1
2.5
mJ
峰值二极管恢复的dv / dt (注3 )
4.5
V / ns的
TO-220
25
W
TO-92
2.5
W
功耗
P
D
TO-220
0.2
W / ℃,
减免上述25℃
TO-92
0.02
W / ℃,
结温
T
J
+150
°C
存储温度范围
T
英镑
-55~+150
°C
注意:绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
热数据
参数
结到环境
结到外壳
TO-220
TO-92
TO-220
TO-92
符号
θ
JA
θ
JC
评级
62.5
140
5.0
50
单位
° C / W
° C / W
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
www.unisonic.com.tw
2 4
QW-R502-529.a