1N40G-T92-TR 参数 Datasheet PDF下载

型号：	1N40G-T92-TR
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内容描述：	1A ， 400V N沟道功率MOSFET [1A, 400V N-CHANNEL POWER MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	4 页 / 168 K
品牌：	UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]

1N40

初步

功率MOSFET

电气特性

= 25 ℃，除非另有说明）

参数

符号

测试条件

开关特性

漏源击穿电压

DSS

= 250μA ，V

=0V

击穿电压温度

△

DSS

△

参考至25℃ ，我

=250µA

系数

漏极 - 源极漏电流

DSS

=400V, V

=0V

前锋

=+30V, V

=0V

栅源漏电流

GSS

反向

=-30V, V

=0V

基本特征

栅极阈值电压

GS （ TH）

, I

=250µA

静态漏源导通电阻

DS （ ON）

= 10V ，我

=0.7A

动力参数

输入电容

国际空间站

=0V, V

= 25V ， F = 1.0MHz的

输出电容

OSS

反向传输电容

RSS

切换参数

总栅极电荷

=10V, V

= 320V ，我

=1.8A

门源费

（注1,2）

栅漏电荷

导通延迟时间

D（上）

= 200V ，我

= 1.8A ，R

=25Ω

上升时间

（注1,2）

打开-O FF延迟时间

D（关闭）

下降时间

源 - 漏二极管额定值和特性

最大体二极管连续电流

最大体二极管脉冲电流

漏源二极管的正向电压

= 1.4A ，V

=0V

= 1.8A ，V

= 0V ，二

/dt=100A/µs

体二极管反向恢复时间

（注1 ）

体二极管反向恢复电荷

注：1.脉冲测试：脉冲宽度

≤

300μS ，占空比

≤

2.基本上是独立工作温度

最小典型最大单位

400

0.4

V /°C的

µA

100 nA的

-100 nA的

2.0

4.5

115

4.0

1.1

2.1

4.0

6.8

150

5.5

Ω

µC

1.4

5.6

1.5

160

0.4

UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。， LTD。

www.unisonic.com.tw

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