UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
19N10
100V N沟道MOSFET
描述
在UTC 100V N沟道增强型功率场
场效应晶体管（ MOSFET ），通过UTC的平面条形的生产，
DMOS技术，已在特别定制了
雪崩和减刑模式，以最大限度地减少通态电阻，
提供出色的开关性能，并能承受高能量
脉搏。它们适用于低电压应用，例如音频
放大器，高开关DC / DC转换器和DC马达
控制权。
功率MOSFET
特点
* R
DS （ ON）
= 0.1Ω
@V
GS
= 10 V
*超低栅极电荷（典型值19nC ）
*低反向传输电容（C
RSS
=典型32pF ）
*快速开关能力
*较高的雪崩能量
*改进dv / dt能力，高耐用性
符号
2.Drain
1.Gate
3.Source
订购信息
订购数量
无铅
无卤
19N10L-T3P-T
19N10G-T3P-T
19N10L-TA3-T
19N10G-TA3-T
19N10L-TM3-T
19N10G-TM3-T
19N10L-TN3-R
19N10G-TN3-R
19N10L-TQ2-R
19N10G-TQ2-R
19N10L-TQ2-T
19N10G-TQ2-T
包
TO-3P
TO-220
TO-251
TO-252
TO-263
TO-263
引脚分配
1
2
3
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
填料
管
管
管
带盘
带盘
管
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1 6
QW-R502-261.D
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