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19N10L-T3P-T 参数 Datasheet PDF下载

19N10L-T3P-T图片预览
型号: 19N10L-T3P-T
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内容描述: 100V N沟道MOSFET [100V N-Channel MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 6 页 / 227 K
品牌: UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
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19N10
电气特性(续)
参数
符号
测试条件
切换参数
总栅极电荷
Q
G
V
DS
= 80V ,我
D
= 19A ,V
GS
=10V
门源电荷
Q
GS
(注1,2)
闸漏极电荷
Q
GD
导通延迟时间
t
D(上)
开启上升时间
t
R
V
DD
= 50V ,我
D
= 19A ,R
G
=25Ω
(注1,2)
打开-O FF延迟时间
t
D(关闭)
关断下降时间
t
F
源 - 漏二极管额定值和特性
二极管的正向电压
V
SD
V
GS
= 0V时,我
S
=15.6A
最大体二极管连续电流
I
S
最大脉冲漏源极二极管
I
SM
正向电流
体二极管反向恢复时间
t
RR
V
GS
= 0V时,我
S
=19A,
dI
F
/ DT = 100A / μs的(注1 )
体二极管反向恢复电荷
Q
RR
注: 1.脉冲测试:脉冲宽度
≤300µs,
值班cycle≤ 2 %
注意:
2.基本上是独立工作温度
功率MOSFET
典型值
19
3.9
9.0
7.5
150
20
65
最大单位
25
nC
25
310
50
140
1.5
15.6
62.4
ns
ns
ns
ns
V
A
A
ns
nC
78
200
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
www.unisonic.com.tw
3 6
QW-R502-261.D