18N40
典型特征
功率MOSFET
漏极电流与源极到漏极电压
12
10
漏电流,我
D
(A)
8
6
4
2
0
0
400
600
200
800 1000
源极到漏极电压,V
SD
(毫伏)
12
10
漏电流,我
D
(A)
8
6
4
2
0
0
漏源导通电阻
特征
V
GS
=10V,
I
D
=9.0A
2.0
1.5
1.0
0.5
漏源极电压,V
DS
(V)
漏极电流与漏源
击穿电压
漏极电流与栅极阈值电压
300
漏电流,我
D
(µA)
250
漏电流,我
D
(µA)
0
2
3
1
4
栅极阈值电压,V
TH
(V)
200
150
100
50
0
300
250
200
150
100
50
0
200
100
300
400
500
0
漏源击穿电压BV
DSS
(V)
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