15N65G-TF2-T 参数 Datasheet PDF下载

型号：	15N65G-TF2-T
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内容描述：	15A ， 650V N沟道功率MOSFET [15A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	6 页 / 181 K
品牌：	UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]

15N65

参数

漏源极电压

栅极至源极电压

雪崩电流（注2）

初步

功率MOSFET

绝对最大额定值

= 25 ℃，除非另有规定）

评级

单位

650

±30

连续

连续漏电流

脉冲（注2）

637

单脉冲（注3 ）

雪崩能量

重复的（注2）

25.0

峰值二极管恢复的dv / dt （注4 ）

4.5

V / ns的

TO-220F2

38.5

功耗

TO-247

312

结温

+150

°C

储存温度

英镑

-55 ~ +150

°C

注：1。绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。

绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。

2.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温

3， L = 5.23mH ，我

= 15A ，V

= 50V ，R

= 25Ω ，起始物为

=25°C

4. I

≤15A,

的di / dt

≤200A/μs,

ΔBV

DSS

，起始物为

=25°C

符号

DSS

GSS

dv / dt的

热数据

参数

结到环境

结到外壳

TO-220F2

TO-247

TO-220F2

TO-247

符号

评级

62.5

3.3

0.4

单位

° C / W

UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。， LTD。

www.unisonic.com.tw

2 6

QW-R502-481.d

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